Alphalas UPD超快光电探测器（320-1100nm ＜300ps上升沿时间 Si 1GHz 抛光玻璃) 产品总览 Alphalas UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。

数字集成光电二极管1 kHz , WL-IPD4B通用串行总线接口为虚拟串行端口(VCP)，以便直接轻松地集成到实验室控制软件(如LabView)中。通信使用基于文本的协议。

Ge 锗 大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 5mm） 筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。

850nm单模光纤耦合VCSEL激光二极管（不带TEC） 筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管

2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光伏探测器 PVA-2TE系列 PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的两级TE冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用，且不含汞和镉，符合RoHS指标要求。带有3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。

2.15-3.5μm 红外非冷却光浸式 InAs 砷化铟 光伏探测器 PVIA系列 PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷却红外光伏探测器,通过光学浸没来提升探测器的性能。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用，且不含汞和镉，符合RoHS指标要求。

InAs 和 InAsSb 光伏探测器 红外非冷却非浸没 2.15-3.5μm PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用，且不含汞和镉，符合RoHS指标要求

2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光浸式光伏探测器 PVIA-2TE系列 PVIA-2TE系列是基于InAsSb合金的两级TE冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用，且不含汞和镉，符合RoHS指标要求。带有3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。