145GHz光电探测器模块(单模光纤) 产品总览 该产品是为数据通信（ 1T/bs PAM），电信和微波光子应用而研发的145GHz超快光电探测器模块。

硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型，有效面积：Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。

1064nm 四象限Si光电探测器(N型硅象限 光敏面直径 10mm,直流响应度 0.3A/W) 器件是N型硅象限探测器，当光辐射到器件各个象限的辐射通量相等时，则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时，由于象限间辐射通量的变化，引起各个象限的输出光电流的变化，由此可测出物体的方位，从而起到跟踪、制导的作用。

1064nm 四象限Si光电探测器( 光敏面直径 16mm,直流响应度 0.3A/W) 产品应用 ● 激光瞄准、制导跟踪及探索装置 ● 激光微定位、位移监控等精密测量系统

硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。

905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm (光敏面直径：0.23mm TO46) 硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。大光敏面，高速响应，高增益，低噪声。

硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.5mm TO46)硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。大光敏面，高速响应，高增益，低噪声。

硅Si雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.8mm TO46)硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。大光敏面，高速响应，高增益，低噪声。