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  • 2-12um MCT 中红外两级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-2TE系列
    2-12um MCT 中红外两级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-2TE系列

    2-12um 中红外MCT 四级热电冷却红外光电探测器 PV-4TE系列 PV-4TE系列是基于复杂的MCT异质结构的四级热电冷却红外光电探测器,具有优秀的性能和稳定性。探测器在λopt时达到它本身能达到的的最佳性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。3°楔状蓝宝石(wAl2O3)或硒化锌抗反射

    更新时间:2022-09-06型号:访问量:557
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  • 2-12um 中红外MCT 四级热电冷却红外光电探测器 PV-4TE系列
    2-12um 中红外MCT 四级热电冷却红外光电探测器 PV-4TE系列

    2-12um 中红外MCT 四级热电冷却红外光电探测器 PV-4TE系列 PV-4TE系列是基于复杂的MCT异质结构的四级热电冷却红外光电探测器,具有优秀的性能和稳定性。探测器在λopt时达到它本身能达到的的最佳性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。3°楔状蓝宝石(wAl2O3)或硒化锌抗反射

    更新时间:2022-09-06型号:访问量:663
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  • 2-12um 中红外MCT三级热电冷却红外光电探测器, 带TEC ,PV-3TE系列
    2-12um 中红外MCT三级热电冷却红外光电探测器, 带TEC ,PV-3TE系列

    2-12um 中红外MCT三级热电冷却红外光电探测器, 带TEC ,PV-3TE系列 PV-3TE系列是基于复杂的MCT异质结构的三级热电冷却红外光电探测器,具有优秀的性能和稳定性。探测器在λopt时达到它本身能达到的的佳性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能

    更新时间:2022-09-06型号:访问量:601
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  • 3um中红外MCT两级TE冷却光电探测器2-12um ,PV-2TE系列
    3um中红外MCT两级TE冷却光电探测器2-12um ,PV-2TE系列

    3um中红外MCT两级TE冷却光电探测器2-12um ,PV-2TE系列 PV-2TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光电探测器,具有优秀的性能和稳定性。器件在λ_opt时达到它本身能达到的的最佳性能。起始波长可根据需要进行优化。

    更新时间:2022-09-06型号:访问量:590
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  • 2.5-6.5um MCT碲镉汞  中红外非制冷光电探测器 PVI系列
    2.5-6.5um MCT碲镉汞 中红外非制冷光电探测器 PVI系列

    2.5-6.5um MCT碲镉汞 中红外非制冷光电探测器 PVI系列 PVI系列是基于复杂的MCT异质结构的非制冷红外光电探测器,采用光学浸没的方式提高器件的性能参数,使其具有优秀的性能和稳定性。器件在λ_opt时达到它本身能达到的的最佳性能。起始波长可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在显著提高响应速度和动态范围的同时提高高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声在低频下可能会降低探测器的性

    更新时间:2022-09-06型号:访问量:638
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  • 3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe
    3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe

    3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe PV系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电探测器,具有优秀的性能和稳定性。器件在λ_opt时达到它本身能达到的的佳性能。波长分割可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在显著提高响应速度和动态范围的同时提高高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声在低频下可能会降低探测器的性能。

    更新时间:2022-09-06型号:访问量:598
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  • ET-3500F美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器
    ET-3500F美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器

    美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器:材料:InGaAs 上升/下降时间:<25ps/<25ps; 响应度:0.65A/W@1300nm; 带宽:>15GHz; 有效面积直径:32um; 输出连接:SMA 光纤连接 FC/UPC,SMF28e

    更新时间:2022-08-08型号:ET-3500F访问量:1813
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  • ET-5000F美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器
    ET-5000F美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器

    美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器:材料:InGaAs 上升/下降时间:<28ps/<28ps; 响应度:0.9A/W@2000nm; 带宽:>10GHz; 有效面积直径:40um; 输出连接:SMA 光纤连接,FC/UPC

    更新时间:2022-08-08型号:ET-5000F访问量:1680
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